Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140793) > Сторінка 1640 з 2347

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1635 1636 1637 1638 1639 1640 1641 1642 1643 1644 1645 1872 2106 2340 2347  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
DAN222M3T5G DAN222M3T5G ONSEMI DAN222M3.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SOT723; Ufmax: 1.2V; 260mW
Capacitance: 3.5pF
Mounting: SMD
Case: SOT723
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.26W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
60+5.19 грн
100+ 4.05 грн
340+ 3.01 грн
940+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 60
DAN222T1G ONSEMI DAN222.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 80V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 4ns
Type of diode: rectifying
Capacitance: 3.5pF
Max. forward impulse current: 2A
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DAP222T1G ONSEMI DAP222.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 80V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 4ns
Type of diode: rectifying
Capacitance: 3.5pF
Max. forward impulse current: 2A
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DF005S DF005S ONSEMI DF005S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Case: SDIP 4L
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+47.17 грн
25+ 39.26 грн
39+ 26.51 грн
106+ 25.06 грн
1500+ 24.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF01M DF01M ONSEMI ds21201.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товар відсутній
DF01S DF01S ONSEMI DF01S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Case: SDIP 4L
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 100V
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+48.67 грн
10+ 40.07 грн
43+ 24.07 грн
116+ 22.77 грн
500+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF02M ONSEMI ds21201.pdf DF02M-ONS SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DF02S DF02S ONSEMI DF02S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+35.56 грн
25+ 30.77 грн
45+ 22.86 грн
123+ 21.64 грн
1500+ 20.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
DF04M DF04M ONSEMI DF005-10m.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: MDIP4L
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.16 грн
25+ 27.07 грн
50+ 20.34 грн
136+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF04S DF04S ONSEMI DF04S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+48.67 грн
10+ 32.31 грн
40+ 25.46 грн
109+ 24.07 грн
500+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF06S DF06S ONSEMI DF04S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.37 грн
25+ 33.21 грн
40+ 25.46 грн
109+ 24.07 грн
1500+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
DF08S DF08S ONSEMI DF04S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.69 грн
45+ 23.64 грн
100+ 22.59 грн
123+ 21.55 грн
375+ 21.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF10M DF10M ONSEMI DF005-10m.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DF10S DF10S ONSEMI DF04S.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Case: SDIP 4L
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+32.1 грн
25+ 27.34 грн
45+ 22.77 грн
123+ 21.55 грн
3000+ 20.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTA113EM3T5G DTA113EM3T5G ONSEMI dta113e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.26W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.14 грн
60+ 5.34 грн
240+ 4.26 грн
650+ 4.03 грн
8000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
DTA114EET1G DTA114EET1G ONSEMI dta114e-d.pdf description Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
75+4.16 грн
125+ 2.7 грн
500+ 2.35 грн
575+ 1.79 грн
1575+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 75
DTA114YET1G DTA114YET1G ONSEMI dta114y-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.42 грн
45+ 6.14 грн
100+ 3.33 грн
500+ 2.23 грн
606+ 1.67 грн
1664+ 1.58 грн
3000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 34
DTA115EET1G DTA115EET1G ONSEMI dta115e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC75
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
75+4.12 грн
100+ 3.56 грн
400+ 2.61 грн
1075+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 75
DTA124EET1G ONSEMI dta124e-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTA143ZET1G DTA143ZET1G ONSEMI dta143z-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.48 грн
125+ 2.27 грн
500+ 1.93 грн
625+ 1.68 грн
1675+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC113EM3T5G ONSEMI dtc113e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTC114EET1G DTC114EET1G ONSEMI dtc114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+10.29 грн
39+ 7.04 грн
100+ 3.75 грн
500+ 2.5 грн
608+ 1.67 грн
1670+ 1.58 грн
9000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
DTC114TET1G ONSEMI dtc114t-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTC114YET1G ONSEMI dtc114y-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTC123JET1G DTC123JET1G ONSEMI DTC123JET1G-DTE.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTC123TET1G DTC123TET1G ONSEMI dtc123t-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTC124EET1G DTC124EET1G ONSEMI dtc124e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+2.83 грн
500+ 2.09 грн
1350+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC124XET1G DTC124XET1G ONSEMI dtc124x-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
100+3.52 грн
125+ 2.27 грн
500+ 1.93 грн
625+ 1.68 грн
1700+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC143EET1G DTC143EET1G ONSEMI MMUN2232.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTC143ZET1G DTC143ZET1G ONSEMI dtc143z-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
125+2.27 грн
500+ 1.93 грн
625+ 1.67 грн
1675+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 125
DTC144EET1G DTC144EET1G ONSEMI DTC144EET1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.04 грн
30+ 9.11 грн
100+ 4.85 грн
500+ 3.28 грн
532+ 1.91 грн
1463+ 1.81 грн
24000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
DVK-BASE-2-GEVK ONSEMI AND9698-D.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Arduino Shield compatible
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ECH8657-TL-H ONSEMI ech8657-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 35V; 4.5A; Idm: 30A; 1.5W; ECH8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 35V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: ECH8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ECH8690-TL-H ONSEMI ena2185-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.7/-3.5A
On-state resistance: 55/94mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: ECH8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI ech8695r-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Application: charging control
Case: ECH8
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12.5V
Pulsed drain current: 60A
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 9.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.14 грн
25+ 38.62 грн
36+ 28.42 грн
98+ 26.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N2222A ONSEMI 2n2222a.pdf 2N2222A.pdf 2N2222A.pdf 150_2N2221Ax.pdf NPN Small Signal Amplifiers, Switches.pdf EDU-2N2222A NPN THT transistors
товар відсутній
LM324N ONSEMI suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw LM324.pdf en.CD00001046.pdf lm2902a-d.pdf EDU-LM324N THT operational amplifiers
товар відсутній
EFC4612R-S-TR ONSEMI Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; Idm: 60A; 1.6W; WLCSP4
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: WLCSP4
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
EGF1D EGF1D ONSEMI ONSM-S-A0003590693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A; 2W
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.65 грн
25+ 26.08 грн
53+ 19.23 грн
144+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
EMC2DXV5T1G ONSEMI emc2dxv5t1-d.pdf EMC2DXV5T1G Complementary transistors
товар відсутній
EMC5DXV5T1G EMC5DXV5T1G ONSEMI emc2dxv5t1-d.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.5W; SOT553
Mounting: SMD
Case: SOT553
Power dissipation: 0.5W
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Semiconductor structure: common base-collector
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+17.78 грн
25+ 13 грн
100+ 11.12 грн
105+ 9.08 грн
285+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
EMG2DXV5T5G ONSEMI emg5dxv5-d.pdf EMG2DXV5T5G NPN SMD transistors
товар відсутній
EMI9408MUTAG ONSEMI emi9408-d.pdf EMI9408MUTAG-ONS Diodes - Unclassified
товар відсутній
ES1A ES1A ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 15ns
Max. forward voltage: 0.92V
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 50V
Power dissipation: 1.47W
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.33 грн
21+ 13.18 грн
100+ 11.3 грн
104+ 9.82 грн
286+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
ES1B ES1B ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 30A
Load current: 1A
Max. forward voltage: 0.92V
Max. off-state voltage: 100V
Capacitance: 7pF
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 15ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES1C ES1C ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.47W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES1D ES1D ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.2 грн
24+ 11.64 грн
100+ 9.99 грн
117+ 8.6 грн
322+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES1F ES1F ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 300V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES1G ES1G ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES1J ES1J ONSEMI ES1x.PDF Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.52 грн
24+ 11.37 грн
100+ 9.82 грн
120+ 8.43 грн
330+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 14
ES2A ONSEMI es2d-d.pdf ES2_1.pdf es2a.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES2B ONSEMI es2d-d.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2_1.pdf es2a.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Case: SMB
Capacitance: 18pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20ns
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES2C ONSEMI es2d-d.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf es2a.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES2D ES2D ONSEMI es2d-d.pdf ES2(A-J)%20N0160%20REV.D.pdf es2a.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf ES2_1.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2x.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.52 грн
17+ 16.51 грн
85+ 12.08 грн
231+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
ES3A ONSEMI FAIR-S-A0002364330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw es3a.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES3B ES3B ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES3C ONSEMI es3a.pdf FAIR-S-A0002364330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw es3a.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES3D ES3D ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.69 грн
13+ 22.29 грн
62+ 16.42 грн
169+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
ES3J ES3J ONSEMI ES3J.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.58 грн
11+ 26.17 грн
25+ 22.77 грн
57+ 18.16 грн
155+ 17.21 грн
3000+ 16.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
ESD5B5.0ST1G ESD5B5.0ST1G ONSEMI ESD5B5.0-DTE.PDF description Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 0.2W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.2W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+8.42 грн
100+ 4.66 грн
323+ 3.12 грн
886+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
DAN222M3T5G DAN222M3.PDF
DAN222M3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SOT723; Ufmax: 1.2V; 260mW
Capacitance: 3.5pF
Mounting: SMD
Case: SOT723
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.26W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. off-state voltage: 80V
Max. forward voltage: 1.2V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 4ns
Leakage current: 0.1mA
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+5.19 грн
100+ 4.05 грн
340+ 3.01 грн
940+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 60
DAN222T1G DAN222.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 80V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 4ns
Type of diode: rectifying
Capacitance: 3.5pF
Max. forward impulse current: 2A
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DAP222T1G DAP222.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 80V; 100mA; 4ns; SC75; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 80V
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 4ns
Type of diode: rectifying
Capacitance: 3.5pF
Max. forward impulse current: 2A
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1.2V
Max. load current: 0.3A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DF005S DF005S.pdf
DF005S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 50V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Case: SDIP 4L
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+47.17 грн
25+ 39.26 грн
39+ 26.51 грн
106+ 25.06 грн
1500+ 24.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF01M ds21201.pdf
DF01M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товар відсутній
DF01S DF01S.pdf
DF01S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Case: SDIP 4L
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 100V
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.67 грн
10+ 40.07 грн
43+ 24.07 грн
116+ 22.77 грн
500+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF02M ds21201.pdf
Виробник: ONSEMI
DF02M-ONS SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DF02S DF02S.pdf
DF02S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.56 грн
25+ 30.77 грн
45+ 22.86 грн
123+ 21.64 грн
1500+ 20.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
DF04M DF005-10m.pdf
DF04M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: MDIP4L
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.16 грн
25+ 27.07 грн
50+ 20.34 грн
136+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
DF04S DF04S.pdf
DF04S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.67 грн
10+ 32.31 грн
40+ 25.46 грн
109+ 24.07 грн
500+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
DF06S DF04S.pdf
DF06S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 600V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1.5A
Case: SDIP 4L
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.37 грн
25+ 33.21 грн
40+ 25.46 грн
109+ 24.07 грн
1500+ 23.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
DF08S DF04S.pdf
DF08S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 800V; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.69 грн
45+ 23.64 грн
100+ 22.59 грн
123+ 21.55 грн
375+ 21.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
DF10M DF005-10m.pdf
DF10M
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Case: MDIP4L
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DF10S DF04S.pdf
DF10S
Виробник: ONSEMI
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A; SDIP 4L
Case: SDIP 4L
Kind of package: reel; tape
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Max. forward impulse current: 50A
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.1 грн
25+ 27.34 грн
45+ 22.77 грн
123+ 21.55 грн
3000+ 20.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
DTA113EM3T5G dta113e-d.pdf
DTA113EM3T5G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.26W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.26W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+8.14 грн
60+ 5.34 грн
240+ 4.26 грн
650+ 4.03 грн
8000+ 3.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
DTA114EET1G description dta114e-d.pdf
DTA114EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+4.16 грн
125+ 2.7 грн
500+ 2.35 грн
575+ 1.79 грн
1575+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 75
DTA114YET1G dta114y-d.pdf
DTA114YET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.42 грн
45+ 6.14 грн
100+ 3.33 грн
500+ 2.23 грн
606+ 1.67 грн
1664+ 1.58 грн
3000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 34
DTA115EET1G dta115e-d.pdf
DTA115EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 100kΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Case: SC75
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...150
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+4.12 грн
100+ 3.56 грн
400+ 2.61 грн
1075+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 75
DTA124EET1G dta124e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTA143ZET1G dta143z-d.pdf
DTA143ZET1G
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.48 грн
125+ 2.27 грн
500+ 1.93 грн
625+ 1.68 грн
1675+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC113EM3T5G dtc113e-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT723; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT723
Current gain: 3...5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 1kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
DTC114EET1G dtc114e-d.pdf
DTC114EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+10.29 грн
39+ 7.04 грн
100+ 3.75 грн
500+ 2.5 грн
608+ 1.67 грн
1670+ 1.58 грн
9000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
DTC114TET1G dtc114t-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 160...350
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTC114YET1G dtc114y-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTC123JET1G DTC123JET1G-DTE.PDF
DTC123JET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTC123TET1G dtc123t-d.pdf
DTC123TET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2/0.3W; SOT416; 2.2kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT416
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 160...350
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
DTC124EET1G dtc124e-d.pdf
DTC124EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 60...100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+2.83 грн
500+ 2.09 грн
1350+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC124XET1G dtc124x-d.pdf
DTC124XET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...150
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.52 грн
125+ 2.27 грн
500+ 1.93 грн
625+ 1.68 грн
1700+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC143EET1G MMUN2232.PDF
DTC143EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTC143ZET1G dtc143z-d.pdf
DTC143ZET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+2.27 грн
500+ 1.93 грн
625+ 1.67 грн
1675+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 125
DTC144EET1G DTC144EET1G.PDF
DTC144EET1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.04 грн
30+ 9.11 грн
100+ 4.85 грн
500+ 3.28 грн
532+ 1.91 грн
1463+ 1.81 грн
24000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
DVK-BASE-2-GEVK AND9698-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; Arduino Shield compatible
Type of development kit: evaluation
Programmers and development kits features: Arduino Shield compatible
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ECH8657-TL-H ech8657-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 35V; 4.5A; Idm: 30A; 1.5W; ECH8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 35V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: ECH8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ECH8690-TL-H ena2185-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.7/-3.5A
On-state resistance: 55/94mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: ECH8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ECH8695R-TL-W ech8695r-d.pdf
ECH8695R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Application: charging control
Case: ECH8
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12.5V
Pulsed drain current: 60A
Semiconductor structure: common drain
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 11A
On-state resistance: 9.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.14 грн
25+ 38.62 грн
36+ 28.42 грн
98+ 26.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N2222A 2n2222a.pdf 2N2222A.pdf 2N2222A.pdf 150_2N2221Ax.pdf NPN Small Signal Amplifiers, Switches.pdf
Виробник: ONSEMI
EDU-2N2222A NPN THT transistors
товар відсутній
LM324N suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224 INSLS09156-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw LM324.pdf en.CD00001046.pdf lm2902a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
EDU-LM324N THT operational amplifiers
товар відсутній
EFC4612R-S-TR
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 6A; Idm: 60A; 1.6W; WLCSP4
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: WLCSP4
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
EGF1D ONSM-S-A0003590693-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
EGF1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A; 2W
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 15pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.65 грн
25+ 26.08 грн
53+ 19.23 грн
144+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
EMC2DXV5T1G emc2dxv5t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
EMC2DXV5T1G Complementary transistors
товар відсутній
EMC5DXV5T1G emc2dxv5t1-d.pdf
EMC5DXV5T1G
Виробник: ONSEMI
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.5W; SOT553
Mounting: SMD
Case: SOT553
Power dissipation: 0.5W
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Semiconductor structure: common base-collector
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.78 грн
25+ 13 грн
100+ 11.12 грн
105+ 9.08 грн
285+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
EMG2DXV5T5G emg5dxv5-d.pdf
Виробник: ONSEMI
EMG2DXV5T5G NPN SMD transistors
товар відсутній
EMI9408MUTAG emi9408-d.pdf
Виробник: ONSEMI
EMI9408MUTAG-ONS Diodes - Unclassified
товар відсутній
ES1A ES1x.PDF
ES1A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Reverse recovery time: 15ns
Max. forward voltage: 0.92V
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 50V
Power dissipation: 1.47W
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.33 грн
21+ 13.18 грн
100+ 11.3 грн
104+ 9.82 грн
286+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
ES1B ES1x.PDF
ES1B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Leakage current: 0.1mA
Max. forward impulse current: 30A
Load current: 1A
Max. forward voltage: 0.92V
Max. off-state voltage: 100V
Capacitance: 7pF
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: SMA
Features of semiconductor devices: fast switching
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 15ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES1C ES1x.PDF
ES1C
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Mounting: SMD
Capacitance: 7pF
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.47W
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 150V
Max. forward voltage: 0.92V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 15ns
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES1D ES1x.PDF
ES1D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 15ns; SMA; Ufmax: 0.92V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 15ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 7pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.2 грн
24+ 11.64 грн
100+ 9.99 грн
117+ 8.6 грн
322+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
ES1F ES1x.PDF
ES1F
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 300V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES1G ES1x.PDF
ES1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 10pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES1J ES1x.PDF
ES1J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 8pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 1.47W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.52 грн
24+ 11.37 грн
100+ 9.82 грн
120+ 8.43 грн
330+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 14
ES2A es2d-d.pdf ES2_1.pdf es2a.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES2B es2d-d.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2_1.pdf es2a.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Case: SMB
Capacitance: 18pF
Max. off-state voltage: 100V
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20ns
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES2C es2d-d.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf es2a.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
ES2D es2d-d.pdf ES2(A-J)%20N0160%20REV.D.pdf es2a.pdf ES2A SERIES_L2102.pdf ES2_1.pdf FAIRS47395-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ES2x.pdf
ES2D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 20ns; SMB; Ufmax: 0.9V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 20ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 18pF
Case: SMB
Max. forward voltage: 0.9V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.35mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.52 грн
17+ 16.51 грн
85+ 12.08 грн
231+ 11.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
ES3A FAIR-S-A0002364330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw es3a.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 50V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES3B ES3J.pdf
ES3B
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES3C es3a.pdf FAIR-S-A0002364330-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw es3a.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 0.5mA
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ES3D ES3J.pdf
ES3D
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 30ns; SMC; Ufmax: 0.95V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 30ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 0.95V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.69 грн
13+ 22.29 грн
62+ 16.42 грн
169+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
ES3J ES3J.pdf
ES3J
Виробник: ONSEMI
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 3A; 45ns; SMC; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 100A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 3A
Reverse recovery time: 45ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 45pF
Case: SMC
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 100A
Power dissipation: 1.66W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.58 грн
11+ 26.17 грн
25+ 22.77 грн
57+ 18.16 грн
155+ 17.21 грн
3000+ 16.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
ESD5B5.0ST1G description ESD5B5.0-DTE.PDF
ESD5B5.0ST1G
Виробник: ONSEMI
Category: Bidirectional SMD transil diodes
Description: Diode: TVS; 0.2W; 6.8V; bidirectional; SOD523; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.2W
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protection
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.42 грн
100+ 4.66 грн
323+ 3.12 грн
886+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1635 1636 1637 1638 1639 1640 1641 1642 1643 1644 1645 1872 2106 2340 2347  [ Наступна Сторінка >> ]