FDMS8622 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.14 грн |
| 6000+ | 34.06 грн |
| 9000+ | 32.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS8622 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMS8622 за ціною від 33.02 грн до 106.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS8622 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8622 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V |
на замовлення 19540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS8622 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 22251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS8622 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS8622 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS8622 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FDMS8622 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS8622 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.5A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS8622 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 16.5A On-state resistance: 97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 |
товар відсутній |