Продукція > ONSEMI > FDMS8820
FDMS8820

FDMS8820 onsemi

fdms8820-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.69 грн
6000+ 32.73 грн
9000+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8820 onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDMS8820 за ціною від 31.42 грн до 94.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : onsemi fdms8820-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5315 pF @ 15 V
на замовлення 21741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.48 грн
10+ 67.93 грн
100+ 52.88 грн
500+ 42.06 грн
1000+ 34.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8820_D-2312861.pdf MOSFETs NCh 30V 116A 2.4mOhm
на замовлення 17728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.09 грн
10+ 75.87 грн
100+ 51.24 грн
500+ 43.45 грн
1000+ 35.39 грн
3000+ 32.4 грн
6000+ 31.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS8820 Виробник : ON Semiconductor fdms8820-d.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8820 FDMS8820 Виробник : ON Semiconductor 3654158962523565fdms8820.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8820 Виробник : ONSEMI fdms8820-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 101A; Idm: 634A; 78W; Power56
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 634A
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 101A
On-state resistance: 2.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8820 Виробник : ONSEMI fdms8820-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 101A; Idm: 634A; 78W; Power56
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 634A
Mounting: SMD
Case: Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 101A
On-state resistance: 2.8mΩ
товар відсутній