![FDMT800120DC FDMT800120DC](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1140/261%3B-MKT-PQFN08R%3B-%3B-8.jpg)
FDMT800120DC onsemi
![fdmt800120dc-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 445.21 грн |
10+ | 366.87 грн |
100+ | 305.77 грн |
500+ | 253.2 грн |
1000+ | 227.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMT800120DC onsemi
Description: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V.
Інші пропозиції FDMT800120DC за ціною від 235.68 грн до 485.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDMT800120DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2421 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
FDMT800120DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 25990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMT800120DC | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMT800120DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 107nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 767A Mounting: SMD Case: DFNW8 Drain-source voltage: 120V Drain current: 81A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
FDMT800120DC | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMT800120DC | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 107nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 767A Mounting: SMD Case: DFNW8 Drain-source voltage: 120V Drain current: 81A On-state resistance: 7.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |