Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS86200
FDMS86200

FDMS86200 ON Semiconductor

fdms86200-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2001000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86200 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDMS86200 за ціною від 65.47 грн до 208.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+76.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+77.34 грн
6000+ 71.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+78.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 59136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+79.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+82.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+84.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.99 грн
10+ 109.97 грн
100+ 96.62 грн
500+ 84.22 грн
1000+ 70.04 грн
3000+ 65.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+129.28 грн
102+ 118.48 грн
116+ 104.1 грн
500+ 90.74 грн
1000+ 75.46 грн
3000+ 70.53 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi fdms86200-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
на замовлення 10617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.46 грн
10+ 137.16 грн
100+ 109.2 грн
500+ 86.71 грн
1000+ 73.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86200_D-2312831.pdf MOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 31932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.36 грн
10+ 153.5 грн
100+ 106.37 грн
500+ 89.68 грн
1000+ 76.47 грн
3000+ 70.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86200 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 49 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+208.23 грн
10+ 152.86 грн
100+ 121.66 грн
500+ 96.32 грн
1000+ 74.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS86200 Виробник : ON-Semicoductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R FDMS86200 TFDMS86200
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FDMS86200
Код товару: 185473 		fdms86200-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ON Semiconductor fdms86200-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS86200 FDMS86200 Виробник : ONSEMI FDMS86200.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 36A; 104W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 36A
Power dissipation: 104W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній