Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN306P
FDN306P

FDN306P ON Semiconductor

fdn306p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN306P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN306P за ціною від 4.77 грн до 35.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.78 грн
9000+ 9.12 грн
24000+ 7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.98 грн
6000+ 9.12 грн
9000+ 8.47 грн
30000+ 7.76 грн
75000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.58 грн
500+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.82 грн
18+ 20.7 грн
25+ 17.39 грн
65+ 12.53 грн
178+ 11.83 грн
1000+ 11.55 грн
3000+ 11.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 82706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.25 грн
12+ 24.36 грн
100+ 16.94 грн
500+ 12.41 грн
1000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN306P FDN306P Виробник : onsemi / Fairchild FDN306P_D-2312717.pdf MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
на замовлення 11797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.55 грн
12+ 26.82 грн
100+ 16.22 грн
500+ 12.71 грн
1000+ 10.34 грн
3000+ 8.65 грн
9000+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI FDN306P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+34.58 грн
11+ 25.8 грн
25+ 20.87 грн
65+ 15.04 грн
178+ 14.2 грн
1000+ 13.86 грн
3000+ 13.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN306P FDN306P Виробник : ONSEMI 2304102.pdf Description: ONSEMI - FDN306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.6 A, 0.04 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 11330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.41 грн
26+ 29.88 грн
100+ 18.58 грн
500+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDN306P Виробник : VBsemi FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306P VBS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 150
FDN306P Виробник : TECH PUBLIC FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Substitute: TCJ2305; FDN306P SOT23 TEC TFDN306p TEC
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN306P Виробник : ON-Semicoductor FAIRS19378-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; FDN306P TFDN306p
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDN306P FDN306P Виробник : ON Semiconductor fdn306p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній