Продукція > ONSEMI > FDMS86300DC
FDMS86300DC

FDMS86300DC onsemi

fdms86300dc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.81 грн
10+ 164.57 грн
100+ 131.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS86300DC onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDMS86300DC за ціною від 86.42 грн до 242.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : onsemi / Fairchild FDMS86300DC_D-2312526.pdf MOSFET 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
на замовлення 51106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.78 грн
10+ 182.73 грн
100+ 126.14 грн
250+ 116.38 грн
500+ 105.93 грн
1000+ 90.6 грн
3000+ 86.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : ONSEMI 1874926.pdf Description: ONSEMI - FDMS86300DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 76 A, 0.0026 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+242.36 грн
10+ 179.03 грн
100+ 142.29 грн
500+ 111.8 грн
1000+ 87.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : ON Semiconductor fdms86300dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : ON Semiconductor fdms86300dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : ON Semiconductor fdms86300dc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 24A 8-Pin Power 56 T/R
товар відсутній
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : ONSEMI fdms86300dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : onsemi fdms86300dc-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7005 pF @ 40 V
товар відсутній
FDMS86300DC FDMS86300DC Виробник : ONSEMI fdms86300dc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній