![FDMS86300 FDMS86300](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/83ee490a9a6d6db3892a2f1173869eaefd5645c4/power56-8.jpg)
FDMS86300 ON Semiconductor
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 51.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86300 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS86300 за ціною від 51.88 грн до 167.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 122A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7082 pF @ 40 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
FDMS86300 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 122A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 122A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |