![FDMS86350ET80 FDMS86350ET80](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4446/488%7EMKT-PQFN08J%7E%7E8.jpg)
FDMS86350ET80 onsemi
![fdms86350et80-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 80V 25A/198A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 224.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86350ET80 onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.002 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 187W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDMS86350ET80 за ціною від 216.39 грн до 483.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDMS86350ET80 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86350ET80 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8030 pF @ 40 V |
на замовлення 10361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86350ET80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 5993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86350ET80 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDMS86350ET80 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
FDMS86350ET80 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 140A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 187W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDMS86350ET80 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 140A; 187W; PQFN8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 80V Drain current: 140A On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 187W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PQFN8 |
товар відсутній |