![FDN338P FDN338P](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDN338P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDN338P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.6 A, 0.088 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FDN338P за ціною від 1.93 грн до 33.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500 Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 87145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 451 pF @ 10 V |
на замовлення 46794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
![]() Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 1.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 800 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 87145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 0.5W; SuperSOT-3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Power dissipation: 0.5W Case: SuperSOT-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 74343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
FDN338P | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FDN338P | Виробник : JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 370 шт |
на замовлення 740 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDN338P | Виробник : JSMicro Semiconductor |
![]() кількість в упаковці: 260 шт |
на замовлення 260 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDN338P | Виробник : HUASHUO |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2191 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDN338P | Виробник : HUASHUO |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 809 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDN338P | Виробник : UMW |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDN338P | Виробник : MSKSEMI |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
FDN338P | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|