FDMS86500DC onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 119.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86500DC onsemi
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: Dual Cool 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS86500DC за ціною від 107.01 грн до 284.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86500DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86500DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86500DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86500DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 8931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86500DC | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86500DC | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 29A DLCOOL56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7680 pF @ 30 V |
на замовлення 3059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86500DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86500DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86500DC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 0.0019 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 8931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86500DC | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDMS86500DC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86500DC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 125W Gate charge: 107nC Polarisation: unipolar Drain current: 108A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power56 On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS86500DC | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 200A; 125W; Power56 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 125W Gate charge: 107nC Polarisation: unipolar Drain current: 108A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: Power56 On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD |
товар відсутній |