Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN302P
FDN302P

FDN302P ON Semiconductor

3658854106519508fdn302p.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN302P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDN302P за ціною від 5.73 грн до 40.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.12 грн
6000+ 8.09 грн
9000+ 7.74 грн
15000+ 6.89 грн
21000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.72 грн
9000+ 9.49 грн
24000+ 9.16 грн
45000+ 8.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.55 грн
9000+ 10.22 грн
24000+ 9.87 грн
45000+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.89 грн
6000+ 11.63 грн
9000+ 11.45 грн
12000+ 10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.6 грн
500+ 10.13 грн
1500+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
449+27.14 грн
785+ 15.51 грн
793+ 15.35 грн
802+ 14.65 грн
1324+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 449
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013339524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.4 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+30.57 грн
50+ 23.09 грн
100+ 15.6 грн
500+ 10.13 грн
1500+ 9.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi ONSM-S-A0003585478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 10 V
на замовлення 39166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.01 грн
14+ 21.14 грн
100+ 14.32 грн
500+ 10.48 грн
1000+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI FDN302P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+33.44 грн
17+ 22.03 грн
80+ 10.82 грн
218+ 10.23 грн
500+ 10.05 грн
1000+ 9.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDN302P FDN302P
Код товару: 31343 		Виробник : Fairchild FDN302P.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 20 V
Id,A: 2,4 A
Rds(on),Om: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 882/9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 12 грн
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+33.91 грн
26+ 23.5 грн
100+ 12.98 грн
1000+ 9.13 грн
3000+ 6.57 грн
9000+ 6.08 грн
24000+ 6.01 грн
45000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+36.45 грн
24+ 25.47 грн
25+ 25.2 грн
100+ 13.75 грн
250+ 12.61 грн
500+ 11.97 грн
1000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDN302P FDN302P Виробник : onsemi / Fairchild FDN302P_D-2312833.pdf MOSFETs SSOT-3 P-CH 2.5V
на замовлення 11924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.5 грн
13+ 26.61 грн
100+ 12.49 грн
1000+ 9.51 грн
3000+ 8.59 грн
9000+ 7.59 грн
24000+ 7.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDN302P FDN302P Виробник : ONSEMI FDN302P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.13 грн
11+ 27.45 грн
80+ 12.99 грн
218+ 12.28 грн
500+ 12.07 грн
1000+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor fdn302p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN302P FDN302P Виробник : ON Semiconductor 3658854106519508fdn302p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
FDN302P FDN302P Виробник : UMW 5634c8745b87866e100cf3575079ed1d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
FDN302P FDN302P Виробник : UMW 5634c8745b87866e100cf3575079ed1d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності