на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 44.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86183 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDMS86183 за ціною від 37.97 грн до 129.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86183 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86183 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86183 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86183 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86183 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86183 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 50 V |
на замовлення 13306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86183 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet |
на замовлення 32711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86183 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 0.0099 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86183 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86183 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56 Mounting: SMD On-state resistance: 34.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 187A Case: Power56 Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS86183 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 187A; 63W; Power56 Mounting: SMD On-state resistance: 34.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 63W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 187A Case: Power56 Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A |
товар відсутній |