Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDN339AN
FDN339AN

FDN339AN ON Semiconductor

fdn339an-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDN339AN ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDN339AN за ціною від 8.68 грн до 42.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.49 грн
6000+ 10.38 грн
9000+ 9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN339AN FDN339AN Виробник : onsemi ONSM-S-A0003699943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.16 грн
6000+ 10.2 грн
9000+ 9.47 грн
30000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.23 грн
6000+ 11.12 грн
9000+ 10.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDN339AN FDN339AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.42 грн
500+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
411+29.46 грн
543+ 22.27 грн
582+ 20.79 грн
711+ 16.39 грн
1087+ 9.93 грн
Мінімальне замовлення: 411
FDN339AN FDN339AN Виробник : onsemi ONSM-S-A0003699943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 150716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 27.22 грн
100+ 18.94 грн
500+ 13.88 грн
1000+ 11.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.13 грн
21+ 29.64 грн
25+ 27.36 грн
100+ 19.97 грн
250+ 17.24 грн
500+ 13.53 грн
1000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDN339AN FDN339AN Виробник : ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+35.42 грн
25+ 19.6 грн
57+ 14.95 грн
157+ 14.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDN339AN FDN339AN Виробник : onsemi / Fairchild FDN339AN_D-2312863.pdf MOSFET SSOT-3 N-CH 20V
на замовлення 22781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.53 грн
11+ 30.29 грн
100+ 18.33 грн
500+ 14.36 грн
1000+ 11.64 грн
3000+ 9.83 грн
9000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDN339AN FDN339AN Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0017607420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDN339AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 66011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.73 грн
23+ 34.32 грн
100+ 21.42 грн
500+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDN339AN FDN339AN Виробник : ONSEMI FDN339AN-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3A; 0.5W; SuperSOT-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SuperSOT-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.5 грн
25+ 24.43 грн
57+ 17.95 грн
157+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDN339AN Виробник : ON-Semicoductor ONSM-S-A0003699943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 3A 20V 0.5W 0.035Ω FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) TFDN339an
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDN339AN FDN339AN Виробник : ON Semiconductor fdn339an-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній