Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDMS8680
FDMS8680

FDMS8680 ON Semiconductor

3664447834987176fdms8680.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
403+30.02 грн
407+ 29.73 грн
411+ 29.43 грн
412+ 28.32 грн
413+ 26.15 грн
500+ 24.93 грн
1000+ 24.26 грн
Мінімальне замовлення: 403
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDMS8680 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: Power 56, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDMS8680 за ціною від 36.95 грн до 147.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+36.95 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
304+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 304
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+72.49 грн
10+ 71.41 грн
25+ 70.32 грн
100+ 66.76 грн
250+ 60.85 грн
500+ 57.49 грн
1000+ 56.56 грн
3000+ 55.63 грн
6000+ 54.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
155+78.07 грн
158+ 76.9 грн
160+ 75.73 грн
163+ 71.9 грн
250+ 65.53 грн
500+ 61.91 грн
1000+ 60.91 грн
3000+ 59.91 грн
6000+ 58.9 грн
Мінімальне замовлення: 155
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+78.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0002363584-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS8680 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
375+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 375
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi / Fairchild FDMS8680_D-2312651.pdf MOSFETs 30V N-CHANNEL
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.83 грн
10+ 96.98 грн
100+ 72.48 грн
250+ 71.09 грн
500+ 64.81 грн
1000+ 60.35 грн
3000+ 57.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.05 грн
10+ 95.38 грн
100+ 78.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.01 грн
10+ 126.9 грн
100+ 101.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor fdms8680-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : ON Semiconductor 3664447834987176fdms8680.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Gate charge: 26nC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDMS8680 FDMS8680 Виробник : onsemi fdms8680-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 15 V
товар відсутній
FDMS8680 Виробник : ONSEMI fdms8680-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; Idm: 100A; 50W; Power56
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Gate charge: 26nC
Mounting: SMD
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
товар відсутній