FDMS86310 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 73.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86310 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V.
Інші пропозиції FDMS86310 за ціною від 66.42 грн до 200.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86310 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86310 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86310 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86310 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86310 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86310 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 40 V |
на замовлення 5923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDMS86310 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 15359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDMS86310 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDMS86310 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDMS86310 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 50A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| FDMS86310 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 100A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 50A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товару немає в наявності |