Технічний опис IRFH7921TRPBF Infineon / IR
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 34A, Power dissipation: 3.1W, Case: PQFN8, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 4000 шт.
Інші пропозиції IRFH7921TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH7921TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|
 |
IRFH7921TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN |
товар відсутній |
|
|
|
IRFH7921TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 34A; 3.1W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 34A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |