IRFH8201TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 42.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8201TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm.
Інші пропозиції IRFH8201TRPBF за ціною від 54.02 грн до 154.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH8201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH8201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH8201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH8201TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
на замовлення 2568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH8201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH8201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 13 V |
на замовлення 14568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFH8201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET N-CH 25V 100A PQFN |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH8201TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8201TRPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 25 V, 100 A, 800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
на замовлення 2568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFH8201TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 49A 8-Pin PQFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRFH8201TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6 Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Kind of package: reel Power dissipation: 156W Drain current: 324A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH8201TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6 Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Kind of package: reel Power dissipation: 156W Drain current: 324A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25V |
товар відсутній |