![IRFP4110PBF IRFP4110PBF](/img/to-247.jpg)
IRFP4110PBF
![irfp4110pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 40699
Виробник: IRUds,V: 100 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 9620/150
Монтаж: THT
у наявності 46 шт:
31 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 145 грн |
10+ | 133 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4110PBF за ціною від 130.13 грн до 371.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1682 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP4110PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
100uF 10V E5R 6x5mm (E5R101M10B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 15876 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х5mm
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 10 V
Серія: E5R
Тип: ультрамініатюрні (висота 5мм), 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х5mm
у наявності: 188 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
15+ | 1.4 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.9 грн |
KX-3H 4.0 MHz (20pF, 30PPM) (кварцовий резонатор) Код товару: 27072 |
![]() |
Виробник: Geyer/Strong
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 4 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 20 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
Кварцові резонатори, генератори, фільтри і т.п. > Резонатори і генератори
Частота, Hz: 4 MHz
Корпус: HC-49/U3H-човник (ATS-49/U)
Тип: Резонатор кварцовий
Навантажувальна ємність: 20 pF
Стабільність при 25°C: +/-30ppm
Монтаж: THT
у наявності: 1462 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.3 грн |
1000+ | 3.6 грн |
HCPL3120-000E Код товару: 30573 |
![]() |
![]() |
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
у наявності: 156 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 75 грн |
10+ | 68 грн |
IR2121PBF Код товару: 35516 |
![]() |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Примітка: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: DIP-8
Uc, V: 5...12 V
I o +/-, A: 1/2 A
V out, V: 12-18 V
T on/T off, ns: 150/150 ns
Примітка: CURRENT LIMITING LOW SIDE DRIVER
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 27 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 132 грн |
10+ | 119 грн |
Індуктивний Датчик наближення LJ12A3-4-Z/BX Код товару: 133347 |
![]() |
Активні компоненти > Датчики
Опис: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Вихід/інтерфейс: Аналоговий
Живлення, V: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
Опис: Для визначення наближення до Датчика металевих поверхонь. Полярність: NPN. Відстань виявлення: 4 мм.
Вихід/інтерфейс: Аналоговий
Живлення, V: 6...36 V
Тип датчика: Індуктивний датчик наближення
у наявності: 352 шт
очікується:
500 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 95 грн |
10+ | 82.3 грн |
100+ | 74.46 грн |