![IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/12/6/16/48/47/508161/smn_/manual/pqfn_2x2_single.jpg_472149771.jpg)
IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 8.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFHS8342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFHS8342TRPBF за ціною від 9.15 грн до 42.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 68000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 70356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFHS8342TRPBF Код товару: 180301 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 9.9A Power dissipation: 2.1W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFHS8342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 9.9A Power dissipation: 2.1W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |