IRFH8311TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 26.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH8311TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA, Supplier Device Package: PQFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRFH8311TRPBF за ціною від 27.13 грн до 94.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFH8311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8311TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V |
на замовлення 46714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH8311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6 |
на замовлення 7701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH8311TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm |
на замовлення 3768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFH8311TRPBF Код товару: 151197 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH8311TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFH8311TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH8311TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |