Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFP4227PBF
IRFP4227PBF

IRFP4227PBF

irfp4227pbf.pdf
Код товару: 26521
Виробник: IR
Uds,V: 200 V
Idd,A: 65 A
Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 38 шт:
25 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна без ПДВ
1+105 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4227PBF IR

  • MOSFET, N, 200V, TO-247
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:65A
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:25ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Power Dissipation:330W
  • Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:TO-247
  • Cont Current Id:65A
  • Cont Current Id @ 100`C:46A
  • Cont Current Id @ 25`C:65A
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:240V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vds:200V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Rth:0.45

Інші пропозиції IRFP4227PBF за ціною від 104.73 грн до 333.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+179.81 грн
10+ 179.44 грн
25+ 157.48 грн
100+ 133.7 грн
400+ 110.19 грн
1200+ 104.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+192.8 грн
72+ 169.22 грн
100+ 143.66 грн
400+ 118.4 грн
1200+ 112.54 грн
Мінімальне замовлення: 63
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
49+247.71 грн
59+ 205.42 грн
100+ 204.41 грн
200+ 189.34 грн
800+ 160.03 грн
1600+ 146.73 грн
Мінімальне замовлення: 49
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+286.47 грн
25+ 218.45 грн
100+ 187.27 грн
500+ 156.21 грн
1000+ 133.76 грн
2000+ 125.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4227_DataSheet_v01_01_EN-3363093.pdf MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.7 грн
10+ 286.92 грн
25+ 200.01 грн
100+ 177.02 грн
400+ 135.2 грн
1200+ 128.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+331.48 грн
10+ 229.85 грн
100+ 206.39 грн
500+ 169.87 грн
1000+ 136.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+333.64 грн
38+ 319.31 грн
50+ 307.14 грн
100+ 286.12 грн
250+ 256.89 грн
Мінімальне замовлення: 37
IRFP4227PBF irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 99 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4227PBF IRFP4227PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

IRFP90N20DPBF
Код товару: 23066		 irfp90n20d.pdf
IRFP90N20DPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 94 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
Монтаж: THT
у наявності: 47 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+185 грн
10+ 173 грн
SS16
Код товару: 160670		 ss12_thru-ss110.pdf
SS16
Виробник: Yangjie
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: SMA-W
Зворотня напруга, Vrrm: 60 V
Прямий струм (per leg), If: 1 А
Падіння напруги, Vf: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
у наявності: 476 шт
Кількість Ціна без ПДВ
34+1.5 грн
56+ 0.9 грн
100+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 34
10nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W103K1HL2-L-Hitano)
Код товару: 2895		 multilayer_ceramic_capacitorsepoxy.pdf
10nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W103K1HL2-L-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±10% K
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15W103K1HL-2L
у наявності: 1069 шт
очікується: 5000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
15+3.5 грн
17+ 3.1 грн
100+ 2.7 грн
1000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 15
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2568		 EXR_080421.pdf
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
очікується: 3000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+16 грн
10+ 14.4 грн
100+ 12.9 грн
1000+ 11.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BD912
Код товару: 2464		 description BD909,910,911,912.pdf
BD912
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
fT: 3 MHz
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 15 A
h21,max: 250
у наявності: 587 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+34 грн
10+ 30.6 грн
100+ 27.2 грн
Мінімальне замовлення: 2