IRFIZ34NPBF Infineon Technologies
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 234+ | 51.66 грн |
| 239+ | 50.65 грн |
| 245+ | 49.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ34NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFIZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFIZ34NPBF за ціною від 42.02 грн до 95.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFIZ34NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 19A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFIZ34NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 19A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 19A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 347 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFIZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 19A 40mOhm 22.7nC |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFIZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRFIZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
IRFIZ34NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFIZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.04 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFIZ34NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 21A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
товар відсутній |