IRFP260MPBF
Код товару: 113423
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
очікується 6 шт:
6 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 60.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP260MPBF за ціною від 74.07 грн до 215.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 6349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
на замовлення 18654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |