![IRFP054NPBF IRFP054NPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2016/5/9/3/21/47/410/smn_/manual/to-247ac.jpg)
IRFP054NPBF Infineon Technologies
на замовлення 16068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP054NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP054NPBF - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 55 V, 72 A, 0.012 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFP054NPBF за ціною від 72.08 грн до 230.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 584 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF Код товару: 49829 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 81 A Ic 100: 27 A Pd 25: 170 W td(on)/td(off) 100-150 град: 44/240 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP054NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товар відсутній |