IRFP3703PBF
Код товару: 41216
Виробник: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
у наявності 25 шт:
15 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 122 грн |
10+ | 114 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP3703PBF за ціною від 148.21 грн до 285.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 209nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC |
на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 209nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 0.0023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRLB3034PBF Код товару: 36195 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10315/108
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 101 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 116 грн |
10+ | 105.6 грн |
P6KE30A Код товару: 28129 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 30 V
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 30 V
у наявності: 5523 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 3.5 грн |
18+ | 2.8 грн |
100+ | 2.4 грн |
P6KE12CA Код товару: 27293 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 12 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 10,2 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-15
Пікова потужність: 600 W
Напруга пробою, Vbr: 12 V
Постійна зворотня напруга, Vrm: 10,2 V
Струм витоку, Irm: 5 µA
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: THT
у наявності: 2087 шт
очікується:
300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 4.5 грн |
13+ | 3.9 грн |
100+ | 3.6 грн |
1000+ | 3 грн |
IRFP460APBF Код товару: 22361 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 20 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3520/56
Монтаж: THT
у наявності: 105 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 142 грн |
10+ | 133 грн |
IRFP3306PBF Код товару: 1056 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 3.3 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4520/85
Монтаж: THT
у наявності: 6 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 105 грн |