IRFL014NTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL014NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFL014NTRPBF за ціною від 12.99 грн до 50.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL014NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V |
на замовлення 12670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC |
на замовлення 9911 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFL014NTRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
HEXFET N-CH 55 V 1.9 A 140 mOm SOT-223 PbFree |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRFL014NTRPBF Код товару: 23060 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 60 V Idd,A: 2,7 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/11 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFL014NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 1.9A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFL014NTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 1.9A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |