Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH8325TRPBF
IRFH8325TRPBF

IRFH8325TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH8325TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH8325TRPBF за ціною від 11.93 грн до 42.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+19.84 грн
32+ 18.84 грн
100+ 16.54 грн
500+ 15.02 грн
1000+ 13.08 грн
2000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
596+20.28 грн
679+ 17.81 грн
721+ 16.78 грн
1000+ 15.22 грн
2000+ 13.39 грн
Мінімальне замовлення: 596
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 7829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+21.57 грн
29+ 21.36 грн
100+ 20.38 грн
250+ 18.67 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 17.55 грн
3000+ 17.37 грн
6000+ 17.18 грн
Мінімальне замовлення: 28
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
529+22.86 грн
531+ 22.76 грн
575+ 21.05 грн
1000+ 19.71 грн
2000+ 18.16 грн
4000+ 17.01 грн
Мінімальне замовлення: 529
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 7829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
526+23 грн
531+ 22.77 грн
537+ 22.52 грн
543+ 21.49 грн
1000+ 19.69 грн
3000+ 18.71 грн
6000+ 18.5 грн
Мінімальне замовлення: 526
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.92 грн
500+ 20.18 грн
1000+ 12.93 грн
5000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH8325_DataSheet_v01_01_EN-3363078.pdf MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
на замовлення 4369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.25 грн
11+ 29.57 грн
100+ 20.84 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.87 грн
2000+ 15.05 грн
4000+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 0.0041 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.53 грн
24+ 32.99 грн
100+ 23.92 грн
500+ 20.18 грн
1000+ 12.93 грн
5000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.22 грн
10+ 35.43 грн
100+ 24.49 грн
500+ 19.21 грн
1000+ 16.35 грн
2000+ 14.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
товар відсутній
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
товар відсутній
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8325pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh8325pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fbc041f1d Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
товар відсутній
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh8325-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
товар відсутній
IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh8325pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
товар відсутній