IRFI540NPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.93 грн |
50+ | 87.51 грн |
100+ | 69.35 грн |
500+ | 55.17 грн |
1000+ | 44.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI540NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFI540NPBF за ціною від 41.05 грн до 158.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFI540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 18A 52mOhm 62.7nC |
на замовлення 3822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFI540NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI540NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.052 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 42 Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFI540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFI540NPBF Код товару: 13478 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
IRFI540NPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFI540NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRFI540NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 62.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |