Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFH9310TRPBF
IRFH9310TRPBF

IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH9310TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm.

Інші пропозиції IRFH9310TRPBF за ціною від 35.31 грн до 113.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.5 грн
15+ 60.25 грн
39+ 56.62 грн
100+ 55.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON 1915661.pdf Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+81.31 грн
250+ 68.64 грн
1000+ 51.91 грн
2000+ 45.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+89.72 грн
145+ 83.38 грн
172+ 70.29 грн
200+ 64.09 грн
500+ 59.16 грн
1000+ 51.35 грн
2000+ 48.33 грн
4000+ 47.22 грн
8000+ 47.13 грн
Мінімальне замовлення: 135
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON 1915661.pdf Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0037 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 9281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+105.54 грн
50+ 81.31 грн
250+ 68.64 грн
1000+ 51.91 грн
2000+ 45.17 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; 3.1W; PQFN5X6
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -17A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.89 грн
5+ 94.08 грн
15+ 72.3 грн
39+ 67.95 грн
100+ 67.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 6254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.07 грн
10+ 86.9 грн
100+ 67.62 грн
500+ 53.78 грн
1000+ 43.81 грн
2000+ 41.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH9310_DataSheet_v01_01_EN-3363019.pdf MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC
на замовлення 11285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.83 грн
10+ 92.17 грн
100+ 64.67 грн
500+ 54.85 грн
1000+ 44.67 грн
2000+ 42.09 грн
4000+ 39.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFH9310TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRFH9310TRPBF IRFH9310TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh9310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній