IRFI530NPBF Infineon Technologies
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 36.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI530NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFI530NPBF за ціною від 35.82 грн до 113.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 5271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFI530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFI530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 7218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI530NPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI530NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFI530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 11A 110mOhm 29.3nC |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFI530NPBF Код товару: 199356 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFI530NPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFI530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFI530NPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |