![IRFP3077PBF IRFP3077PBF](/img/to-247.jpg)
IRFP3077PBF
![irfp3077pbf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 24931
Виробник: IRКорпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
у наявності 95 шт:
77 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 165 грн |
10+ | 154 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP3077PBF за ціною від 104 грн до 433.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Power dissipation: 340W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP3077PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 200A Power dissipation: 340W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
1N4007 Код товару: 1574 |
![]() ![]() ![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товар відсутній
2200uF 25V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR222M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3487 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 16х26mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
800 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |
10 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-10R-Hitano) Код товару: 11065 |
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 13931 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
SG3525AP Код товару: 29169 |
![]() |
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 400 kHz
Темп.діапазон: -25…+85°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SO-16
Призначення і характеристики: PWM Controllers 2виходу
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,5 A
Fosc, kHz: 400 kHz
Темп.діапазон: -25…+85°C
у наявності: 72 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 38 грн |
10+ | 35.2 грн |
100uF 400V EXR 18x41mm (low imp.) (EXR101M2GB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 38814 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 18х41mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -25...+105°C
Габарити: 18х41mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 23 шт
очікується:
30 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 48 грн |
10+ | 43.5 грн |