Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (136445) > Сторінка 1191 з 2275

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 454 681 908 1135 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1362 1589 1816 2043 2270 2275  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Power dissipation: 1.8W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.21 грн
7+ 40.65 грн
25+ 31.83 грн
37+ 27.86 грн
101+ 26.36 грн
1000+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.66 грн
7+ 43.22 грн
25+ 30.95 грн
38+ 27.33 грн
102+ 25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP296NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.66 грн
7+ 41.2 грн
25+ 31.3 грн
36+ 29.19 грн
98+ 27.6 грн
100+ 26.72 грн
1000+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.32 грн
25+ 50.91 грн
32+ 32.62 грн
88+ 30.86 грн
250+ 30.68 грн
500+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.85 грн
25+ 30.22 грн
45+ 22.66 грн
124+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113 грн
5+ 65.38 грн
25+ 41.83 грн
68+ 39.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP321PH6327XTSA1 BSP321PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP321PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.79A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.79A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.44 грн
7+ 44.23 грн
25+ 38.36 грн
36+ 28.13 грн
99+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP324H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.63 грн
25+ 38.27 грн
36+ 28.48 грн
99+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP372NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.46 грн
25+ 46.33 грн
30+ 34.2 грн
82+ 32.33 грн
1000+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP373NH6327-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.29 грн
5+ 57.87 грн
25+ 44.7 грн
27+ 38.8 грн
74+ 36.68 грн
1000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES BSP452 Power switches - integrated circuits
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+176.62 грн
9+ 119.92 грн
24+ 113.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP50H6327XTSA1 BSP50H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP50H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP603S2L BSP603S2L INFINEON TECHNOLOGIES BSP603S2L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
BSP60H6327XTSA1 BSP60H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP60H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 45V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.11 грн
5+ 68.67 грн
21+ 51.14 грн
56+ 48.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP61H6327XTSA1 BSP61H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP61H6327XTSA1.pdf Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES BSP742R Power switches - integrated circuits
товар відсутній
BSP742RIXUMA1 BSP742RIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
BSP742T INFINEON TECHNOLOGIES BSP742T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+147.18 грн
12+ 89.06 грн
32+ 83.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R Power switches - integrated circuits
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+152.88 грн
10+ 104.05 грн
28+ 97.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP752T INFINEON TECHNOLOGIES BSP752T Power switches - integrated circuits
товар відсутній
BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T Power switches - integrated circuits
товар відсутній
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP76E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Output voltage: 42V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-SOT223-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.9 грн
5+ 97.97 грн
13+ 81.12 грн
35+ 76.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.16 грн
8+ 138.43 грн
21+ 130.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP77E6433 BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP88H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.98 грн
25+ 31.13 грн
47+ 21.81 грн
127+ 20.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP89H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.58 грн
47+ 23.35 грн
127+ 21.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -260mA
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.93 грн
25+ 32.05 грн
44+ 23.54 грн
120+ 22.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR202NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.22 грн
25+ 24.45 грн
60+ 17.1 грн
164+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR302NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+41.78 грн
50+ 29.21 грн
61+ 16.75 грн
167+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.87 грн
25+ 18.13 грн
69+ 15.08 грн
188+ 14.28 грн
1000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR92PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.22 грн
25+ 23.53 грн
62+ 16.43 грн
169+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS119NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+9.59 грн
50+ 8.24 грн
171+ 6 грн
468+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.29 грн
25+ 10.99 грн
50+ 6.28 грн
100+ 5.3 грн
250+ 4.34 грн
362+ 2.87 грн
995+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+28.49 грн
14+ 19.96 грн
50+ 11.09 грн
100+ 9.43 грн
281+ 3.7 грн
772+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.44 грн
13+ 21.24 грн
50+ 9.88 грн
100+ 8.03 грн
238+ 4.37 грн
653+ 4.13 грн
10000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.03 грн
50+ 25.64 грн
64+ 15.96 грн
176+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
29+9.88 грн
50+ 8.52 грн
143+ 7.14 грн
391+ 6.79 грн
1000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 29
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
37+7.79 грн
50+ 6.59 грн
213+ 4.85 грн
586+ 4.59 грн
3000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 37
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.64 грн
16+ 18.04 грн
50+ 11.2 грн
100+ 9.12 грн
295+ 3.52 грн
809+ 3.33 грн
75000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.14 грн
25+ 11.35 грн
50+ 7.28 грн
100+ 6.52 грн
250+ 5.64 грн
257+ 4.04 грн
706+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+36.08 грн
50+ 25.36 грн
89+ 11.64 грн
245+ 11.02 грн
6000+ 10.76 грн
9000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+26.4 грн
25+ 21.88 грн
70+ 14.68 грн
195+ 13.88 грн
3000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.64 грн
50+ 18.5 грн
100+ 15.61 грн
117+ 8.91 грн
322+ 8.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Power dissipation: 1W
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.45 грн
16+ 17.76 грн
50+ 15.08 грн
70+ 14.73 грн
192+ 13.93 грн
250+ 13.58 грн
1000+ 13.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.13 грн
12+ 24.91 грн
25+ 16.58 грн
50+ 14.16 грн
100+ 12.14 грн
214+ 4.85 грн
588+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.44 грн
15+ 18.86 грн
50+ 9.86 грн
100+ 8.29 грн
214+ 4.85 грн
588+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.54 грн
16+ 17.4 грн
50+ 10.3 грн
100+ 9.13 грн
193+ 5.37 грн
531+ 5.08 грн
9000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
32+9.02 грн
100+ 6.68 грн
200+ 5.2 грн
549+ 4.94 грн
12000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 32
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+23.74 грн
15+ 18.31 грн
50+ 12.17 грн
100+ 10.85 грн
168+ 6.17 грн
461+ 5.82 грн
9000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.94 грн
19+ 14.93 грн
25+ 11.6 грн
50+ 9.54 грн
100+ 7.84 грн
227+ 4.59 грн
622+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.63 грн
10+ 38.82 грн
49+ 21.25 грн
135+ 20.1 грн
500+ 19.93 грн
1000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Power dissipation: 1.8W
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+90.21 грн
7+ 40.65 грн
25+ 31.83 грн
37+ 27.86 грн
101+ 26.36 грн
1000+ 26.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.66 грн
7+ 43.22 грн
25+ 30.95 грн
38+ 27.33 грн
102+ 25.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1.pdf
BSP295H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1.pdf
BSP296NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.66 грн
7+ 41.2 грн
25+ 31.3 грн
36+ 29.19 грн
98+ 27.6 грн
100+ 26.72 грн
1000+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1.pdf
BSP297H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.32 грн
25+ 50.91 грн
32+ 32.62 грн
88+ 30.86 грн
250+ 30.68 грн
500+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.85 грн
25+ 30.22 грн
45+ 22.66 грн
124+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP317PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113 грн
5+ 65.38 грн
25+ 41.83 грн
68+ 39.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP321PH6327XTSA1 BSP321PH6327XTSA1.pdf
BSP321PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.79A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.79A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.44 грн
7+ 44.23 грн
25+ 38.36 грн
36+ 28.13 грн
99+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP324H6327XTSA1 BSP324H6327XTSA1.pdf
BSP324H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.63 грн
25+ 38.27 грн
36+ 28.48 грн
99+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1.pdf
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.46 грн
25+ 46.33 грн
30+ 34.2 грн
82+ 32.33 грн
1000+ 31.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327-DTE.pdf
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.29 грн
5+ 57.87 грн
25+ 44.7 грн
27+ 38.8 грн
74+ 36.68 грн
1000+ 36.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP452 Power switches - integrated circuits
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.62 грн
9+ 119.92 грн
24+ 113.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP50H6327XTSA1 BSP50H6327XTSA1.pdf
BSP50H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP603S2L BSP603S2L.pdf
BSP603S2L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
BSP60H6327XTSA1 BSP60H6327XTSA1.pdf
BSP60H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Power dissipation: 1.5W
Collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 45V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP613PH6327XTSA1 BSP613PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP613PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.11 грн
5+ 68.67 грн
21+ 51.14 грн
56+ 48.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP61H6327XTSA1 BSP61H6327XTSA1.pdf
BSP61H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP742R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742R Power switches - integrated circuits
товар відсутній
BSP742RIXUMA1 Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t
BSP742RIXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
BSP742T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+147.18 грн
12+ 89.06 грн
32+ 83.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP752R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752R Power switches - integrated circuits
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.88 грн
10+ 104.05 грн
28+ 97.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP752T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752T Power switches - integrated circuits
товар відсутній
BSP762T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP762T Power switches - integrated circuits
товар відсутній
BSP76E6433 BSP76E6433.pdf
BSP76E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Output voltage: 42V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-SOT223-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.9 грн
5+ 97.97 грн
13+ 81.12 грн
35+ 76.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.16 грн
8+ 138.43 грн
21+ 130.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSP77E6433 BSP77E6433.pdf
BSP77E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1.pdf
BSP88H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.98 грн
25+ 31.13 грн
47+ 21.81 грн
127+ 20.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1.pdf
BSP89H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.58 грн
47+ 23.35 грн
127+ 21.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP92PH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.26A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -260mA
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.93 грн
25+ 32.05 грн
44+ 23.54 грн
120+ 22.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR202NL6327HTSA1 BSR202NL6327HTSA1.pdf
BSR202NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.22 грн
25+ 24.45 грн
60+ 17.1 грн
164+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1.pdf
BSR302NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1.pdf
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.78 грн
50+ 29.21 грн
61+ 16.75 грн
167+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1.pdf
BSR802NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.87 грн
25+ 18.13 грн
69+ 15.08 грн
188+ 14.28 грн
1000+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1.pdf
BSR92PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.22 грн
25+ 23.53 грн
62+ 16.43 грн
169+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+9.59 грн
50+ 8.24 грн
171+ 6 грн
468+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.29 грн
25+ 10.99 грн
50+ 6.28 грн
100+ 5.3 грн
250+ 4.34 грн
362+ 2.87 грн
995+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.49 грн
14+ 19.96 грн
50+ 11.09 грн
100+ 9.43 грн
281+ 3.7 грн
772+ 3.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.44 грн
13+ 21.24 грн
50+ 9.88 грн
100+ 8.03 грн
238+ 4.37 грн
653+ 4.13 грн
10000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.03 грн
50+ 25.64 грн
64+ 15.96 грн
176+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+9.88 грн
50+ 8.52 грн
143+ 7.14 грн
391+ 6.79 грн
1000+ 6.52 грн
Мінімальне замовлення: 29
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+7.79 грн
50+ 6.59 грн
213+ 4.85 грн
586+ 4.59 грн
3000+ 4.5 грн
Мінімальне замовлення: 37
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2.pdf
BSS138NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.64 грн
16+ 18.04 грн
50+ 11.2 грн
100+ 9.12 грн
295+ 3.52 грн
809+ 3.33 грн
75000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+16.14 грн
25+ 11.35 грн
50+ 7.28 грн
100+ 6.52 грн
250+ 5.64 грн
257+ 4.04 грн
706+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.08 грн
50+ 25.36 грн
89+ 11.64 грн
245+ 11.02 грн
6000+ 10.76 грн
9000+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+26.4 грн
25+ 21.88 грн
70+ 14.68 грн
195+ 13.88 грн
3000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3655 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.64 грн
50+ 18.5 грн
100+ 15.61 грн
117+ 8.91 грн
322+ 8.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Power dissipation: 1W
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.45 грн
16+ 17.76 грн
50+ 15.08 грн
70+ 14.73 грн
192+ 13.93 грн
250+ 13.58 грн
1000+ 13.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.13 грн
12+ 24.91 грн
25+ 16.58 грн
50+ 14.16 грн
100+ 12.14 грн
214+ 4.85 грн
588+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.44 грн
15+ 18.86 грн
50+ 9.86 грн
100+ 8.29 грн
214+ 4.85 грн
588+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.54 грн
16+ 17.4 грн
50+ 10.3 грн
100+ 9.13 грн
193+ 5.37 грн
531+ 5.08 грн
9000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1.pdf
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+9.02 грн
100+ 6.68 грн
200+ 5.2 грн
549+ 4.94 грн
12000+ 4.85 грн
Мінімальне замовлення: 32
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+23.74 грн
15+ 18.31 грн
50+ 12.17 грн
100+ 10.85 грн
168+ 6.17 грн
461+ 5.82 грн
9000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.94 грн
19+ 14.93 грн
25+ 11.6 грн
50+ 9.54 грн
100+ 7.84 грн
227+ 4.59 грн
622+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.63 грн
10+ 38.82 грн
49+ 21.25 грн
135+ 20.1 грн
500+ 19.93 грн
1000+ 19.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 227 454 681 908 1135 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1362 1589 1816 2043 2270 2275  [ Наступна Сторінка >> ]