Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS225H6327FTSA1
BSS225H6327FTSA1

BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS225H6327FTSA1 за ціною від 12.02 грн до 48.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.92 грн
2000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+13.89 грн
2000+ 13.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.95 грн
2000+ 14.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.99 грн
2000+ 14.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
583+20.69 грн
586+ 20.6 грн
629+ 19.19 грн
1000+ 18.12 грн
Мінімальне замовлення: 583
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
574+21.03 грн
653+ 18.47 грн
660+ 18.28 грн
706+ 16.47 грн
1000+ 13.49 грн
Мінімальне замовлення: 574
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bss225-datasheet-v01_29-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.09A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+21.11 грн
31+ 19.53 грн
100+ 16.54 грн
250+ 15.16 грн
500+ 13.6 грн
1000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 29
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.99 грн
500+ 19.48 грн
1000+ 15.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS225_DataSheet_v01_29_EN-3360833.pdf MOSFETs N-Ch 600V 90mA SOT-89-3
на замовлення 6457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.54 грн
12+ 28.53 грн
100+ 19.05 грн
500+ 16.59 грн
1000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+37.06 грн
12+ 31.04 грн
49+ 17.64 грн
133+ 16.69 грн
500+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa Description: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.54 грн
10+ 33.24 грн
100+ 23.01 грн
500+ 18.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.47 грн
10+ 38.68 грн
49+ 21.17 грн
133+ 20.03 грн
500+ 19.86 грн
1000+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001299831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.02 грн
21+ 38.16 грн
100+ 24.99 грн
500+ 19.48 грн
1000+ 15.14 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS225H6327FTSA1 Виробник : Infineon Infineon--DS-v01_28-EN.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60c128d06dfa N-MOSFET 600V 0.09A 45Ω 1W BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327 Infineon TBSS225
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 997 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 40