![BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/4/4/0/17/22/777/smn_/manual/bfn19h6327xtsa1.jpg)
BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 9.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS225H6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 mA, 28 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS225H6327FTSA1 за ціною від 12.02 грн до 48.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.09A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT89 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 131 pF @ 25 V |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.09A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 28ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS225H6327FTSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 997 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|