Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6327XTSA1
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS123NH6327XTSA1 за ціною від 2.42 грн до 28.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.69 грн
9000+ 3.61 грн
24000+ 3.1 грн
45000+ 2.74 грн
99000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.84 грн
9000+ 3.78 грн
24000+ 3.24 грн
45000+ 2.86 грн
99000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.14 грн
9000+ 4.07 грн
24000+ 3.49 грн
45000+ 3.08 грн
99000+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 172000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.68 грн
6000+ 4.31 грн
9000+ 3.73 грн
30000+ 3.43 грн
75000+ 2.84 грн
150000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 44388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1588+7.61 грн
2263+ 5.34 грн
2322+ 5.2 грн
2385+ 4.89 грн
15000+ 4.46 грн
30000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 1588
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 169880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.9 грн
500+ 5.39 грн
1500+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 169880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+18.37 грн
60+ 13.13 грн
100+ 7.9 грн
500+ 5.39 грн
1500+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 43
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+23.45 грн
23+ 15.83 грн
50+ 9.13 грн
100+ 7.76 грн
281+ 3.05 грн
772+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.22 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 172502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.39 грн
17+ 17.57 грн
100+ 8.86 грн
500+ 6.78 грн
1000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS123N_DataSheet_v02_03_en-3360994.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 722331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.97 грн
20+ 16.51 грн
100+ 6.41 грн
1000+ 5.09 грн
3000+ 3.62 грн
9000+ 3.28 грн
24000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.14 грн
14+ 19.72 грн
50+ 10.96 грн
100+ 9.31 грн
281+ 3.66 грн
772+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23, SMD
на замовлення 252 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSS123NH6327XTSA1
Код товару: 198093 		Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній