BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies


bsp295_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSP295H6327XTSA1 за ціною від 18.12 грн до 78.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.69 грн
2000+ 18.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.12 грн
2000+ 19.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.31 грн
2000+ 21.46 грн
5000+ 21.24 грн
10000+ 19.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+40.5 грн
200+ 33.76 грн
500+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+59.72 грн
230+ 52.56 грн
262+ 46.22 грн
274+ 42.63 грн
500+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 203
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
194+62.51 грн
205+ 59.11 грн
Мінімальне замовлення: 194
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fc5eed1573f Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.59 грн
10+ 54.88 грн
100+ 37.98 грн
500+ 29.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp295_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+67.7 грн
11+ 58.05 грн
25+ 54.89 грн
100+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP295_DS_v02_03_en-1226422.pdf MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.33 грн
10+ 57.86 грн
100+ 35.26 грн
500+ 28.02 грн
1000+ 23.49 грн
2000+ 23.42 грн
5000+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.96 грн
13+ 62.78 грн
50+ 40.5 грн
200+ 33.76 грн
500+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP295H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
товар відсутній