BSP603S2L Infineon Technologies
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.42 грн |
| 10+ | 133.04 грн |
| 100+ | 92.69 грн |
| 500+ | 76.66 грн |
| 1000+ | 63.84 грн |
| 2500+ | 60.21 грн |
| 4000+ | 60.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP603S2L Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223, Mounting: SMD, Technology: OptiMOS™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 5.2A, On-state resistance: 33mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.8W, Case: SOT223, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 4000 шт.
Інші пропозиції BSP603S2L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSP603S2L | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.2A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
BSP603S2L | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.2A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Polarisation: unipolar |
товар відсутній |