Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS123NH6433XTMA1
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

bss123n_rev2.3.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 1393999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS123NH6433XTMA1 за ціною від 2.57 грн до 29.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.7 грн
20000+ 3.6 грн
30000+ 3.56 грн
50000+ 3 грн
100000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.91 грн
30000+ 3.7 грн
50000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.4 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+6.78 грн
1000+ 4.53 грн
5000+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 39850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1328+9.08 грн
1553+ 7.76 грн
1563+ 7.71 грн
2000+ 6.96 грн
10000+ 4.81 грн
20000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 1328
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+20.58 грн
91+ 8.67 грн
250+ 6.78 грн
1000+ 4.53 грн
5000+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 39
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 5125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.44 грн
22+ 16.99 грн
50+ 8.2 грн
100+ 6.67 грн
234+ 3.65 грн
643+ 3.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 227616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.61 грн
17+ 17.72 грн
100+ 8.95 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 5.08 грн
2000+ 4.27 грн
5000+ 4.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies BSS123N_rev2.3-253511.pdf MOSFETs N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.95 грн
18+ 18.27 грн
100+ 7.1 грн
1000+ 4.43 грн
2500+ 4.22 грн
10000+ 3.58 грн
20000+ 3.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Pulsed drain current: 0.77A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.33 грн
13+ 21.17 грн
50+ 9.84 грн
100+ 8 грн
234+ 4.38 грн
643+ 4.14 грн
10000+ 4 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123NH6433XTMA1
Код товару: 190235 		Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 Виробник : Infineon Technologies bss123n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній