Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP296NH6327XTSA1
BSP296NH6327XTSA1

BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp296n_rev20.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP296NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSP296NH6327XTSA1 за ціною від 18.73 грн до 81.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.93 грн
2000+ 20.87 грн
5000+ 20.81 грн
10000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+22.58 грн
2000+ 22.51 грн
5000+ 22.46 грн
10000+ 20.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.16 грн
2000+ 22.93 грн
5000+ 22.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.94 грн
2000+ 24.7 грн
5000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.57 грн
200+ 36.59 грн
500+ 31 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152.7 pF @ 25 V
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.55 грн
10+ 39.02 грн
100+ 27.03 грн
500+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP296N_DS_v02_00_en-3360869.pdf MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
на замовлення 58916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.79 грн
10+ 42.75 грн
100+ 25.75 грн
500+ 21.58 грн
1000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+56.1 грн
17+ 47.16 грн
50+ 29.59 грн
200+ 25.42 грн
500+ 21.5 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
198+61.87 грн
233+ 52.59 грн
272+ 45.05 грн
287+ 41.18 грн
500+ 35.67 грн
1000+ 32.15 грн
2000+ 30.32 грн
4000+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 198
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP296NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+68.05 грн
12+ 33.07 грн
25+ 26.08 грн
36+ 24.32 грн
98+ 23 грн
100+ 22.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
177+69.21 грн
208+ 58.91 грн
216+ 56.77 грн
228+ 51.89 грн
Мінімальне замовлення: 177
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP296NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.66 грн
7+ 41.2 грн
25+ 31.3 грн
36+ 29.19 грн
98+ 27.6 грн
100+ 26.72 грн
1000+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon BSP296N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd5af675d001f Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BSP296NH6433XTMA1 BSP296NH6327XTSA1 TBSP296N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp296n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній