Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSR316PH6327XTSA1
BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

infineon-bsr316p-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSR316PH6327XTSA1 за ціною від 10.11 грн до 41.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.95 грн
9000+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.65 грн
9000+ 10.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.83 грн
9000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 468000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.54 грн
9000+ 11.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+17.14 грн
38+ 16.1 грн
51+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 10215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
678+17.83 грн
682+ 17.72 грн
760+ 15.91 грн
1000+ 14.76 грн
2000+ 13.58 грн
3000+ 12.6 грн
6000+ 12.17 грн
Мінімальне замовлення: 678
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.31 грн
500+ 13.72 грн
1500+ 12.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSR316P_DataSheet_v02_01_EN-3360923.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 160356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.52 грн
13+ 26.45 грн
100+ 16.66 грн
500+ 14.43 грн
1000+ 12.47 грн
3000+ 10.66 грн
9000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+34.4 грн
50+ 23.16 грн
61+ 13.79 грн
167+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 3476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.19 грн
10+ 29.62 грн
100+ 20.57 грн
500+ 15.07 грн
1000+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 60999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.2 грн
50+ 30.26 грн
100+ 24.31 грн
500+ 13.72 грн
1500+ 12.4 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 2.2Ω
Drain current: -290mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.28 грн
50+ 28.86 грн
61+ 16.55 грн
167+ 15.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 P-Channel 100V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC-59
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSR316PH6327XTSA1
Код товару: 141413 		Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній