Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSS209PWH6327XTSA1
BSS209PWH6327XTSA1

BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.51 грн
9000+ 2.86 грн
24000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.379ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS209PWH6327XTSA1 за ціною від 2.6 грн до 29.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3185+3.78 грн
9000+ 3.08 грн
24000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3185
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.51 грн
6000+ 4.03 грн
9000+ 3.34 грн
30000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 35975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1949+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 1949
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.379ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 148265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.22 грн
115+ 6.88 грн
500+ 4.83 грн
1500+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17241-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS209PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.379 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.379ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 148265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
46+17.5 грн
65+ 12.22 грн
115+ 6.88 грн
500+ 4.83 грн
1500+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 46
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+22.73 грн
40+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 27
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.44 грн
25+ 15.08 грн
50+ 8.19 грн
100+ 6.88 грн
211+ 4.03 грн
579+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Description: MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 15 V
на замовлення 69201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.61 грн
17+ 17.72 грн
100+ 8.65 грн
500+ 6.77 грн
1000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS209PW_DS_v01_32_en-1226273.pdf MOSFETs P-Ch -20V -630mA SOT-323-3
на замовлення 50230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.73 грн
21+ 15.84 грн
100+ 6.26 грн
1000+ 4.43 грн
3000+ 3.37 грн
9000+ 2.81 грн
24000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-323
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.33 грн
15+ 18.79 грн
50+ 9.82 грн
100+ 8.26 грн
211+ 4.83 грн
579+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS209PWH6327XTSA1
Код товару: 185997 		Infineon-BSS209PW-DS-v01_32-en.pdf?fileId=db3a3043321e499401324806c439244b Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss209pw_rev1.32_pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній