Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSP372NH6327XTSA1
BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies

bsp372n_rev20.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSP372NH6327XTSA1 за ціною від 11.47 грн до 71.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.38 грн
2000+ 13.87 грн
5000+ 13.46 грн
10000+ 12.51 грн
25000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+25.77 грн
2000+ 22.1 грн
5000+ 20.94 грн
10000+ 18.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.42 грн
200+ 31.58 грн
500+ 27.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
329+36.76 грн
359+ 33.74 грн
370+ 32.73 грн
500+ 30.4 грн
1000+ 27.07 грн
2000+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 329
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP372NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+44.01 грн
25+ 36.73 грн
30+ 28.16 грн
82+ 26.62 грн
1000+ 26.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP372NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.82 грн
25+ 45.78 грн
30+ 33.79 грн
82+ 31.94 грн
1000+ 31.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
на замовлення 13428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.31 грн
10+ 50.38 грн
100+ 34.9 грн
500+ 27.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP372N_DS_v02_00_en-1731308.pdf MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
на замовлення 20117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.5 грн
10+ 49.53 грн
100+ 33.8 грн
500+ 28.22 грн
1000+ 19.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS26385-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP372NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.8 A, 0.153 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.46 грн
15+ 54.26 грн
50+ 38.78 грн
200+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp372n_rev20.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній