![BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/11/5/1/39/8/434/smn_/manual/tle49613mxtsa1.jpg)
BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS126H6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA, Supplier Device Package: PG-SOT23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BSS126H6327XTSA2 за ціною від 8.34 грн до 42.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 700Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Drain-source voltage: 600V |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V |
на замовлення 111687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 19610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 700Ω Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |