BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies


bsp297_rev2.2.pdf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 660mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSP297H6327XTSA1 за ціною від 13.3 грн до 72.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.74 грн
2000+ 19.08 грн
5000+ 13.3 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+25.25 грн
2000+ 23.2 грн
5000+ 22.52 грн
10000+ 20.22 грн
25000+ 18.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+26.23 грн
2000+ 22.5 грн
5000+ 21.31 грн
10000+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+27.19 грн
2000+ 24.98 грн
5000+ 24.26 грн
10000+ 21.77 грн
25000+ 20.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.23 грн
200+ 32.6 грн
500+ 27.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+42.7 грн
16+ 37.69 грн
100+ 30.19 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+57.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
207+58.6 грн
229+ 52.87 грн
287+ 42.19 грн
298+ 39.13 грн
500+ 35.16 грн
1000+ 33.66 грн
Мінімальне замовлення: 207
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSP297-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b51250a8528c2 Description: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V
на замовлення 10508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.06 грн
10+ 51.32 грн
100+ 35.52 грн
500+ 27.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP297_DS_v02_02_en-1226465.pdf MOSFET N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
на замовлення 93802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.78 грн
10+ 53.78 грн
100+ 33.94 грн
500+ 28.36 грн
1000+ 22.02 грн
2000+ 20.42 грн
5000+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSP297H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.49 грн
25+ 50.3 грн
32+ 32.23 грн
88+ 30.49 грн
250+ 30.32 грн
500+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp297_rev2.2.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
170+71.29 грн
183+ 66.26 грн
217+ 55.79 грн
230+ 50.88 грн
500+ 46.93 грн
Мінімальне замовлення: 170
BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 660mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.55 грн
14+ 57.46 грн
50+ 38.23 грн
200+ 32.6 грн
500+ 27.41 грн
Мінімальне замовлення: 11