![BSP297H6327XTSA1 BSP297H6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2016/5/9/3/37/31/228/smn_/manual/sot223.jpg)
BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP297H6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSP297H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 660 mA, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 660mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP297H6327XTSA1 за ціною від 13.3 грн до 72.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.66A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 357 pF @ 25 V |
на замовлення 10508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 93802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.66A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 660mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|