![BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2013/11/5/1/39/8/434/smn_/manual/tle49613mxtsa1.jpg)
BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies
на замовлення 341000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS138NH6327XTSA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS138NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS138NH6327XTSA2 за ціною від 1.91 грн до 27.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 396000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 339000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1001293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 51349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1001293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 214022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 26µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 25 V |
на замовлення 120817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
BSS138NH6327XTSA2 Код товару: 160339 |
![]() |
товар відсутній
|