BSS192PH6327FTSA1

BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies


bss192p_rev1.7.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSS192PH6327FTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSS192PH6327FTSA1 за ціною від 10.36 грн до 51.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1092+11.07 грн
2000+ 10.96 грн
5000+ 10.85 грн
10000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 1092
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+11.31 грн
2000+ 11.21 грн
5000+ 11.09 грн
10000+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Power dissipation: 1W
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+19.31 грн
26+ 14.08 грн
50+ 12.41 грн
70+ 12.12 грн
192+ 11.47 грн
250+ 11.18 грн
1000+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Case: PG-SOT89
Power dissipation: 1W
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.17 грн
16+ 17.55 грн
50+ 14.9 грн
70+ 14.55 грн
192+ 13.76 грн
250+ 13.42 грн
1000+ 13.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
471+25.67 грн
473+ 25.58 грн
545+ 22.19 грн
1000+ 20.4 грн
4000+ 18.07 грн
8000+ 16.64 грн
Мінімальне замовлення: 471
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.97 грн
500+ 19.6 грн
1000+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.2 грн
10+ 32.45 грн
100+ 22.56 грн
500+ 16.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSS192P_DS_v01_07_en-1226547.pdf MOSFET P-Ch -250V -190mA SOT-89-3
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.36 грн
10+ 35.66 грн
100+ 21.67 грн
500+ 16.93 грн
1000+ 12.61 грн
2000+ 10.94 грн
10000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS192PH6327FTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 190 mA, 7.7 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+51.68 грн
19+ 42.92 грн
100+ 26.97 грн
500+ 19.6 грн
1000+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSS192PH6327FTSA1
Код товару: 173677
Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies bss192p_rev1.7.pdf Trans MOSFET P-CH 250V 0.19A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSS192P-DS-v01_07-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014300e20296154c Description: MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT89
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
товар відсутній