BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSS215PH6327XTSA1 за ціною від 4.83 грн до 28.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSS215PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.105 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 23377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V |
на замовлення 31549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSS215PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3 |
на замовлення 97180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|