![BSR92PH6327XTSA1 BSR92PH6327XTSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2016/5/9/4/27/27/186/smn_/manual/sc59.jpg)
BSR92PH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSR92PH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 8 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSR92PH6327XTSA1 за ціною від 9.88 грн до 46.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.11A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V |
на замовлення 8836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.11A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2069 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSR92PH6327XTSA1 Код товару: 155406 |
![]() |
товар відсутній
|