на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 512+ | 23.55 грн |
| 531+ | 22.7 грн |
| 1000+ | 21.96 грн |
| 2500+ | 20.55 грн |
| 5000+ | 18.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3K329R,LF(B Toshiba
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Gate charge: 1.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, Case: SOT23F, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 289mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції SSM3K329R,LF(B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3K329R,LF(B | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|
 |
SSM3K329R,LF(B | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23F Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 289mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|
|
|
SSM3K329R,LF(B | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 1W; SOT23F Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23F Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 289mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |