SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 6.83 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 5000+ | 3.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM6N15AFU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SSM6N15AFU,LF(T за ціною від 3.69 грн до 26.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N15AFU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R |
на замовлення 8880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SSM6N15AFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFU,LF(T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 100 mA, 100 mA, 2.3 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SSM6N15AFU,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin US T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SSM6N15AFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SSM6N15AFU,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |